FET OSCILÁTOR

Vysoký vstupní odpor polem řízených tranzistorů dovoluje značně zjednodušit konstrukci cívek oscilátoru. Na obrázku je uvedeno schéma oscilátoru s dvěma polem řízenými tranzistory, ve kterém cívka laděného obvodu L1, určující kmitočet vyráběných kmitů, nepoužívá žádné odbočky nebo dodatečné vazební cívky, jak je tomu při použití bipolárních tranzistorů.

Na přiloženém obrázku je schéma oscilátoru na uvedeném principu, který výborně pracuje na kmitočtech od 1 do 100 MHz, jelikož jsou v něm použity tranzistory s mezním kmitočtem nad 300 MHz v kaskádním zapojení, zpětnou vazbu tvoří kondenzátor C2 s malou kapacitou.

Tento oscilátor je vhodný k použití ve vícepásmových krátkovlnných přijímačích, kde hraje značnou roli jednoduché přepínání jednotlivých cívek. Hodnoty kapacity ladicího kondenzátoru a cívky laděného obvodu jsou zvoleny konstruktérem a mohou být měněny v širokých mezích. Pro práci v pásmech KV a VKV by cívka L2 měla mít indukčnost kolem 1 mH. Uvádění do chodu spočívá ve výběru takové hodnoty kondenzátoru C2, při které amplituda vyráběných kmitů bude rovnoměrná v celém pracovním ladicím rozsahu.

Zdroj  В. А. Васильев. Зарубежные радиолюбительские конструкции. МРБ 1977 г.