Píše se ve všech učebnicích a panuje všeobecné přesvědčení, že prvý tranzistor spatřil světlo světa v roce 1947. Pro ty, které zajímá historie elektroniky, a radiotechniky zvláště, ale takové pravdy nejsou právě přesvědčivé. Skutečně, stačí jen zapátrat ve starých spisech, a objevují se zajímavé zprávičky. Tak například existuje US patentní listina č. 1745175, ze které se dá dočíst, že nějaký pan Lilienfeld dne 8. října 1926 přihlásil k patentování totéž, čemu dnes říkáme MESFET a patent mu byl uznán 28 ledna 1930. To víte, než to byrokracie stráví, to chvilku trvá.
Lilienfeld v něm píše o „metodě a zařízení pro řízení elektrického proudu mezi dvěmi elektrodami pevného vodiče, potenciálem přiloženým do třetího bodu vzhledem k těmto vývodům“. Hovoří se zde o vlivu elektrického pole na vodivost sirníku mědi. Výklad činnosti, jak jej podal autor patentu, není příliš jasný – v době kdy byl text psán byly polovodiče téměř neznámé a jejich problematice se nevěnovala pozornost.
V patentovém spisu je popsána i praktická aplikace této součástky, rozhlasový přijímač se dvěma „tranzistory“ jako vf zesilovače, krystalového detektoru a dvoustupňového „tranzistorového“ nf zesilovače. Přijímač je napájen ze dvou samostatných baterií, ze kterých jedna slouží pro „emitor – kolektor“ a druhá pro kladnou polarizaci „báze“ proti „emitoru“.
Zůstává otázka, proč se Lilienfeld v roce 1948 neucházel o prvenství, zvláště byla-li za vynález udělena pocta nejvyššího vědeckého vyznamenání, proč si jeho vynálezu nikdo nevšiml a upadl do zapomnění. Částečně se to dá vysvětlit nesmírně rychlým pokrokem polovodičové techniky, kdy se doba před rokem 1940 považuje již za prehistorii. Zkrátka a dobře, Lilienfeldův tranzistor přišel příliš brzo. Doba ještě nebyla zralá na tak epochální objev.
Kdo byl Julius Edgar Lilienfeld.
Narodil se v 18. dubna 1881 v Lembergu v Rakousko – Uhersku (dnes Ukrajinský Lvov), v letech 1900 až 1904 studoval na Berlínské univerzitě Friedricha Wiléma (Friedrich Wilhelms- Universitat). V roce 1905 přešel na fyzikální institut na Lipské univerzitě, v roce 1910 dosáhl habilitace. Kromě svého tranzistoru vypracoval a nechal si patentovat v roce 1920 elektrolytický kondenzátor. V roce 1927 emigroval do USA. Zemřel 28. srpna. 1963.
Některé z jeho patentů:
U.S. Patent 1,745,175 (popis tranzistoru podobnému MESFET)
U.S. Patent 1,900,018 (tenkovrstvý MOSFET.)
U.S. Patent 1,877,140 (součástka, ve které je proud řízen vrstvou pórovitého kovu)
U.S. Patent 2,013,564 (elektrolytický kondenzátor)